- 非IC关键词
企业档案
产品分类
- 逻辑IC(1)
- 双向可控硅(晶闸管)(2)
- 可控硅(晶闸管)模块(2)
- 功率电感(1)
- 密封式电位器(1)
- 光电/光敏传感器(8)
- 光学传感器(6)
- 电磁传感器(2)
- 磁敏传感器(1)
- 霍尔传感器(1)
- 电流(压)传感器(6)
- 电量传感器(1)
- 电场传感器(1)
- 电导率传感器(1)
- 压电传感器(4)
- 温(湿)度传感器(57)
- 声波/声敏传感器(1)
- 光纤/激光传感器(10)
- 测距/距离传感器(13)
- 视觉/图像传感器(18)
- 微波传感器(1)
- 光栅(幕)传感器(1)
- 压力传感器(157)
- 力敏传感器(4)
- 称重传感器(18)
- 测力/力矩/扭矩传感器(40)
- 速度传感器(5)
- 加速度传感器(31)
- 气体/气敏/烟雾传感器(100)
- 液位传感器(10)
- 物(料)位传感器(7)
- 振动/接近/位移传感器(108)
- 线性传感器(2)
- 流量传感器(14)
- 风速/风向/风量传感器(1)
- 角度/倾角传感器(13)
- 色标/颜色传感器(1)
- 火焰(警)传感器(3)
- 旋转传感器(1)
- 位置传感器(2)
- 长度传感器(1)
- 陀螺仪(2)
- 其他传感器(126)
- 其他变压器(1)
- 其它逆变器(1)
- 放大器(31)
- 其他扬声器(1)
- 其它电声(扬声器)配件(2)
- 光纤/光缆(3)
- 光/光纤衰减器(2)
- 光纤收发器(1)
- 光纤分支/分路/分配器(1)
- 光纤适配器(2)
- 光纤藕合器(1)
- 光纤网卡(1)
- 激光头(1)
- 激光器(9)
- 其他光电子、激光器件(8)
- 字符/字段/图形点阵LCD液晶显示模块(屏)(3)
- TFT LCD液晶显示屏(模块)(4)
- VFD荧光显示模块(屏)(2)
- 触摸屏(34)
- DLP光显屏(组件)(1)
- 其他显示器件(5)
- 门禁考勤系统(1)
- PCB板卡(1)
- 万用表/多用电表(4)
- 毫欧/毫伏表(1)
- 兆欧表(摇表)(1)
- 电桥(1)
- 衰减器(3)
- 示波器(12)
- 高(耐)压/绝缘测试仪(3)
- 信号发生器/信号源模块(4)
- 功率计(8)
- 功率分析仪(2)
- 光功率计(5)
- 亮度/照度计(1)
- 噪声系数测试/分析仪(1)
- 阻抗分析仪(1)
- 频谱分析仪(2)
- 网络分析仪(4)
- 网络测试仪(2)
- 表面/接地/绝缘电阻测试仪(20)
- 综合测试/分析仪(1)
- 电磁兼容(EMC)测量仪器(1)
- 点温计(1)
- 测量探头及附(配)件(159)
- 其它电子测量仪器(134)
- 其他试验设备(2)
- 静电消除器(棒/机)(1)
- 五金/工具(35)
- 其他(121)
s7031-1006s日本滨松面阵背照制冷ccd 传感器 G14237-512WA-02
s7031-1006s G14237-512
滨松
0.85至1.45μm
39580
相关产品
产品信息
s7031-1006s日本滨松面阵背照制冷ccd 传感器 G14237-512WA-02
近红外传感器(0.85至1.45μm) G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器,为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围,截止波长相比之前的产品(G11508-512SA)已有所降低,从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成,并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的,因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封,使产品具有出色的可靠性。 此外,通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率(CE)设置之一。 产品特征 - 低噪音,极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少(截止波长:1.7μm)] - 有四种转换效率类型可供选择 - 内置饱和对抗电路 - 内置CDS电路 - 内置热敏电阻 - 操作简便(内置定时发生器) - 高分辨率:25μm间距 详细参数图像尺寸 12.8 x 0.5 mm 像素尺寸 25 x 250 μm 像素间距 50 μm 总像素个数 512 pixels 封装 Metal 线性率 (Z大值) 9150 lines/s 冷却方式 Two-stage TE-cooled 光谱响应范围 850 to 1450 nm 测试条件 unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e-